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These CIFRE - Etude et réalisation de substrats Germanium pour les capteurs d'image NIR M/F

  • Stage
  • Crolles (Isère)
  • Energie / Matériaux / Mécanique

Description de l'offre



General information

Reference

2020-5032  

Job level

30 - Graduate Entry Level

Position description

Posting title

These CIFRE - Etude et réalisation de substrats Germanium pour les capteurs d'image NIR M/F

Regular/Temporary

Temporary

Job description

     STMicroelectronics développe et fabrique des capteurs d’image CMOS. Dans un tel dispositif, le substrat en Silicium absorbe la lumière et la transforme en courant électrique, qui peut alors être mesuré afin de générer une photographie de la scène visée. Ce mécanisme de transformation de la lumière en courant électrique, appelé Efficacité Quantique, influe fortement sur les performances du capteur d’image (rapport signal/bruit, consommation…). Pour les longueurs d’onde supérieures à 400nm, le Silicium a une faible efficacité quantique. Par contre, le Germanium, ayant un gap plus petit que celui du Silicium, a une efficacité quantique bien plus élevée. Ce stage propose donc d’étudier la réalisation de substrat à base de Germanium et Silicium-Germanium afin d’améliorer les performances des futures générations de capteurs d’images CMOS.

      Rattaché à l’équipe « Traitement thermique R&D », vous aurez la charge de réaliser vos propres échantillons, en utilisant des procédés comme l’épitaxie de Ge ou de SiGe et l’oxydation thermique, entre autres. Une couche de Ge, épitaxiée sur du Si, a naturellement une contrainte mécanique interne qui peut se relâcher grâce à la formation de défauts cristallins, comme des dislocations, qui sont fortement néfastes pour le bon fonctionnement du dispositif final. Vous étudierez donc l’influence des paramètres des procédés sur la génération de défauts cristallins. Pour cela, vous réaliserez des caractérisations poussées de vos échantillons : mesure d’épaisseur (ellipsométrie, XRR), caractérisation physico-chimique (SIMS, XPS…), mesure des défauts cristallins (photoluminescence, diffusion de Rayleigh).

Vous aurez à créer vos expérimentations, à les mettre en œuvre en salle blanche (réalisation et caractérisation des échantillons) sur des équipements 300mm partagés avec la production et à analyser les résultats obtenus. Cette thèse, réalisée en partenariat entre STMicroelectronics et un laboratoire du CNRS, permettra l'étude des mécanismes physiques mis en jeu lors de la réalisation des substrats, en particulier la formation de défauts cristallins.

 

Profile

Formation matériaux en microélectronique, nanomatériaux fonctionnels

Dynamisme, autonomie, esprit d’équipe, communication

 

Position localisation

Job location

Europe, France, Crolles

Candidate criteria

Education level required

5 - Master degree

Experience level required

Less than 2 years

Requester

Desired start date

02/11/2020

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