Internship: Integration of a resistive memory with a back-end selector in FDSOI 28nm node H/F
Grenoble (Isère) IT development
Job description
Détail de l'offre
Informations générales
Entité de rattachement
Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).
Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.
Référence
2019-10157Description de l'unité
Le Leti, institut de recherche technologique de Cea Tech, a pour mission d'innover et de transférer les innovations à l'industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique, de miniaturisation des composants, d'intégration système, et d'architecture de circuits intégrés, à la base de l'internet des objets, de l'intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée. Le Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l'innovation technologique. L'institut est localisé à Grenoble avec deux bureaux aux USA et au Japon, et compte 1800 chercheurs.
Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Internship: Integration of a resistive memory with a back-end selector in FDSOI 28nm node H/F
Sujet de stage
Integration of a resistive memory with a back-end selector in FDSOI 28nm node for In Memory Computing applications
Durée du contrat (en mois)
6
Description de l'offre
Context :
The near future is Internet of Things (IoT), with the need of a data storage infrastructure allowing Big Data processing and Artificial Intelligence (AI) applications. The Memory Laboratory in CEA-LETI is developing the next generations of Non-Volatile Memories, and among them Cross Bar structure based on ReRAM + OTS selector is very promising. While first demonstration has been done at cell level, matrix demonstration has not been demonstrated yet. The target is on 28 nm technology node that offer a great compromised between advanced node and flexibility of integration.
Objectives
In this internship, we propose to integrate a resistive memory (OxRAM) with a back-end Selector (OTS-type) in 28nm technology with 12 inches platform for In Memory Computing applications. To this aim, LETI MAD300 test vehicle will be used. The RRAM and the OTS will be integrated in the BEOL on top of a 28nm FDSOI technology. Integration schemes will be defined and analyzed, in terms of risk and ease of fabrication. Key integration steps (among them memory point dimension, stack etching, contamination…) will be addressed and discussed. Memory dot will be accurately designed based on RRAM and OTS intrinsic properties in order to target device features (operating voltages, current, ON and OFF resistances, memory leakage current…) compatible with 28nm technology in a crossbar array. Process flow will be finalized using commercial tools, so that integration can be achieved in LETI cleanroom, using 300mm test vehicle and platform.
If you are interested by the internship, please send your CV and a motivation letter to gabriel.molas@cea.fr
Desired profile
Profil du candidat
You are interrested by new technologies and research an internship to obtain your engineering or master's degree.