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Offers “CEA”

Expires soon CEA

Design and Implementation of a High-Efficiency 5G GaN Doherty High Power PA

  • Internship
  • Grenoble ( Isère )
  • IT development

Job description

Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.

Référence

2019-10820

Description de l'unité

Le Leti, institut de recherche technologique de Cea Tech, a pour mission d'innover et de transférer les innovations à l'industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique, de miniaturisation des composants, d'intégration système, et d'architecture de circuits intégrés, à la base de l'internet des objets, de l'intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée. Le Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l'innovation technologique. L'institut est localisé à Grenoble avec deux bureaux aux USA et au Japon, et compte 1800 chercheurs.

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Design and Implementation of a High-Efficiency 5G GaN Doherty High Power PA

Sujet de stage

Design and Implementation of a High-Efficiency 5G GaN Doherty High Power PA

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

Mission

GaN/SiC technology has emerged as a strong candidate for small-cell high power PA (HPA). The high power density, low output capacitance, and high breakdown voltage of GaN transistors make them attractive for the 5G small-cell market that requires several watts of output power at high frequencies (up to 40GHz). In this internship, you will design, optimize, and implement a state of the art 40GHz high-efficiency linear GaN HPA. To achieve the expected level of efficiency, the Doherty PA architecture will be used. In fact, the Doherty Power Amplifier is widely used to increase the efficiency of RF transmitters. This architecture relies on a concept known as "Active Load Modulation".

The designed GaN HPA will be used and co-designed with a RFSOI driver amplifier in order to provide optimum efficiency and linearity for the overall PA line-up. This later task will be the subject of a four years Ph.D. program.

What we offer you

  •  A deep look into the field of R&D
  •  Mentoring and guidance
  •  Highly advanced measurement facilities
  •  The opportunity to be considered as a privileged candidate for future PhD positions at LETI on the same topic

Ideal candidate profile

Profil du candidat

Required qualification

You are working toward a master of research or engineering degree in electrical engineering with specialization in radio frequency, telecommunication, or analog microelectronics.

Required Technical Skills


• Good knowledge in RF power amplifier design (Class of operation, architectures…)
• Strong knowledge in RF design (impedance matching, passive devices, linearity, signal modulation)
• Good understanding of semiconductor process such as CMOS, SOI, BiCMOS, knowledge of III-V technologies is a plus.
• Strong analytical problem-solving skills
• Must be familiar with EDA tools: ADS, Momentum, Cadence SpectreRF/GoldenGate, and layout.
• Pro-active attitude, good communication, documentation, presentation skills
• Basic knowledge of various RF measurement instruments, e.g. vector network analyzers (VNAs), signal analyzers, vector signal generators, oscilloscopes, etc.